Mercado de dispositivos de semiconductores de GaN
Insightace Analytic Pvt. Ltd. announces the release of a market assessment report on the “Global GaN Semiconductor Device Market- (By Type (Opto-Semiconductor, RF Semiconductors, Power Semiconductor), By Device (Discrete Semiconductor, Integrated Semiconductor), By Application (Lightning & Lasers, Power Drives (LiDAR, Industrial Drives, EV drives), Supplies & Inverters (SMPS, Inverters, Carga inalámbrica, carga de EV), radiofrecuencia (RF), módulo front-end (FEM), Repeator/Booster/Das, Radar y Satellite)), por vertical (empresas de consumo y negocios, industrial, automotriz, telecomunicaciones, aeroespace y defensa, atención médica, energía y energía), por rango de voltaje (menos de 100 v, 100-500 v, más de 500 v, más de 500 vye,), tendencias,),), tensiones de la industria). Análisis, ingresos y pronóstico para 2034. “
Según la última investigación de Insightace Analytic, el mercado global de dispositivos de semiconductores GaN se valora en USD 22.2 mil millones en 2024, y se espera que alcance USD 40.9 mil millones para el año 2034, con una tasa compuesta anual de 6.4% durante un período de pronóstico de 2025-2034.
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Un dispositivo semiconductor de nitruro de galio (GaN) es un componente electrónico de próxima generación que utiliza GaN como su material semiconductor fundamental, que ofrece ventajas significativas sobre las homólogos tradicionales basados en silicio. Debido a sus características eléctricas excepcionales, incluida la eficiencia energética mejorada, las mayores velocidades de conmutación y la tecnología superior de conductividad térmica-Gania ha sido testigo de la creciente adopción en una amplia gama de aplicaciones.
A medida que las capacidades de rendimiento de los semiconductores basados en silicio se acercan a sus límites tecnológicos, los dispositivos GaN, que pueden funcionar hasta 100 veces más rápido que el silicio, están emergiendo como una solución prometedora para los sistemas electrónicos avanzados. Estos dispositivos ofrecen beneficios notables, como costos operativos más bajos, un mejor rendimiento y una mayor eficiencia energética, lo que los convierte en una opción atractiva para las industrias con visión de futuro.
Se espera que la expansión continua del sector electrónica de consumo por la creciente demanda de teléfonos inteligentes, computadoras portátiles, dispositivos de juego y televisores. Además, el rápido despliegue de la infraestructura 5G ha aumentado el requisito de estaciones base eficientes y transistores de alta potencia, acelerando aún más la integración de los semiconductores de energía GaN dentro del dominio de tecnología de información y comunicaciones (TIC).
Lista de jugadores prominentes en el mercado de dispositivos de semiconductores GAN:
• Wolfspeed, Inc. (EE. UU.)
• Qorvo, Inc. (EE. UU.)
• Macom Technology Solutions Holdings, Inc. (EE. UU.)
• Infineon Technologies AG (Alemania)
• Sumitomo Electric Industries, Ltd. (Japón)
• Mitsubishi Electric Group (Japón)
• Nexgen Power Systems. (A NOSOTROS.)
• Sistemas GaN (Canadá)
• Corporación de conversión de energía eficiente (EE. UU.)
• Odyssey Semiconductor Technologies, Inc. (EE. UU.)
• Rohm Co., Ltd. (Japón)
• STMicroelectronics NV (Suiza)
• Semiconductores NXP NV (Países Bajos)
• Transphorm, Inc.,
• Analog Devices, Inc.,
• Texas Instruments Incorporated,
• Semiconductor de Navitas,
• Microchip Technology Incorporated,
• POWDEC,
• Northrop Grumman Corporation,
• Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd.,
• Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation,
• Renesas Electronics Corporation,
• Gallium Semiconductor,
• GanPower
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Dinámica del mercado
Conductores de crecimiento:
El mercado de dispositivos de semiconductores de nitruro de galio (GaN) está presenciando un crecimiento sustancial impulsado por el aumento de la demanda en todo el segmento de electrónica de consumo. Las categorías clave de productos, como computadoras portátiles, teléfonos inteligentes, adaptadores de energía, cargadores de alta velocidad, iluminación LED, dispositivos domésticos inteligentes y consolas de juegos están incorporando cada vez más componentes basados en GaN debido a su capacidad para ofrecer una mayor densidad y eficiencia de potencia. Estas características permiten una carga más rápida, la longevidad del dispositivo extendido y el consumo de energía reducido. Más allá de las aplicaciones de los consumidores, los semiconductores de GaN también están ganando tracción en entornos empresariales, particularmente en la infraestructura de telecomunicaciones, a sus capacidades de rendimiento de alta frecuencia y alta potencia, que son esenciales para mejorar los sistemas de comunicación inalámbricos. Se espera que la demanda combinada de los sectores de consumidores y empresas acelere significativamente la expansión del mercado.
Desafíos clave:
A pesar de sus ventajas tecnológicas, los dispositivos semiconductores GaN enfrentan barreras para la comercialización generalizada debido a los altos costos de producción. Estos costos resultan principalmente de los intrincados procesos de fabricación involucrados en la producción de sustratos GaN, que requieren equipos de fabricación avanzados, técnicas especializadas y una fuerza laboral altamente calificada. Además, la disponibilidad limitada de sustratos GaN de alta calidad obstaculiza la escalabilidad de producción, contribuyendo a mayores costos unitarios en comparación con las soluciones convencionales basadas en silicio. Este diferencial de costos continúa presentando un desafío para la adopción más amplia del mercado.
Perspectiva regional:
Se espera que América del Norte tenga una posición de liderazgo en el mercado de dispositivos de semiconductores GaN y exhiba un fuerte crecimiento durante todo el período de pronóstico. Esto se atribuye en gran medida a la presencia de destacados fabricantes con sede en los Estados Unidos como Cree, Inc., Eficiente Corporación de conversión de energía, MacOM, Microsemi, Northrop Grumman Corporation y Qorvo, Inc. Además, aumentando la adopción de tecnologías de GaN en los Estados Unidos y Canadá, junto con las inversiones estratégicas de los jugadores clave de la industria, los instrumentos de TEX, los instrumentos de TEX, los instrumentos de TEX, los Instementos de TEX, los Instementos de Gan, los Instalaciones de GaN, y la tecnología de GaN, y la tecnología de la tecnología, y la producción de tecnologías de GaN, y la producción de TEXTURES, ENTENDIDOS, ENTRENDIDOS DE LA INTIGUOS ENTENDOS, ENTRENDIDOS Y QUORVO-ENTENDIDOS. reforzar el liderazgo del mercado de la región.
Paralelamente, se prevé que la región de Asia-Pacífico registre un crecimiento sustancial, impulsado por la presencia de compañías semiconductores bien establecidas como Toshiba, Nichia Corporation y Mitsubishi Electric. La trayectoria de crecimiento de la región está respaldada por el aumento de la integración de la tecnología GaN en aplicaciones de consumidores e industriales, junto con políticas gubernamentales proactivas destinadas a fomentar la innovación y mejorar las capacidades de fabricación de semiconductores nacionales.
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Desarrollos recientes:
• En junio de 2023, Nexgen acaba de declarar el comienzo de la producción para los primeros semiconductores de GaN verticales de 700V y 1200V del mundo, que exhiben las frecuencias de conmutación más elevadas. Los 1200V vertical GaN E-Mode FIN-Jfets desarrollados por NEXGEN fueron los únicos dispositivos de brecha de banda ancha que exhibían efectivamente frecuencias de conmutación superiores a 1 MHz a un voltaje nominal de 1,4 kV.
• En diciembre de 2021, Microchip Technology, Inc. anunció una expansión sustancial de su cartera de dispositivos de potencia de radiofrecuencia de nitruro de galio (GaN) (RF) con la adición de nuevas MMM y transistores discretos que cubren frecuencias de hasta 20 Gigahertz (GHz). Combinando una alta eficiencia de suministro de energía (PAE) y una alta linealidad, los dispositivos permitieron nuevos niveles de rendimiento en aplicaciones que abarcaban desde 5G hasta guerra electrónica, comunicaciones por satélite, sistemas de radar comerciales y de defensa y equipos de prueba.
Segmentación del mercado de dispositivos de semiconductores de GaN-
Por tipo-
• Opto-semiconductor
• Semiconductores de RF
• Semiconductor de poder
Por dispositivo-
• Semiconductor discreto
• Semiconductor integrado
Por aplicación-
• Lightning & Láser
• Unidades de potencia
o lidar
o Unidades industriales
O EV Drives
• Suministros e inversores
o SMPS
O inversores
o Carga inalámbrica
ov cargando
• Radiofrecuencia (RF)
o Módulo front-end (FEM)
o repetidor/refuerzo/das
o radar y satélite
Por vertical-
• Empresas de consumo y negocios
• Industrial
• Automotriz
• Telecomunicaciones
• Aeroespacial y defensa
• Cuidado de la salud
• Energía y energía
Por rango de voltaje
• Menos de 100 V
• 100-500 V
• Más de 500 V
Por región-
América del norte-
• Estados Unidos
• Canadá
• México
Europa-
• Alemania
• el Reino Unido
• Francia
• Italia
• España
• El resto de Europa
Asia-Pacífico-
• Porcelana
• Japón
• India
• Corea del Sur
• Sudeste de Asia
• Resto de Asia Pacífico
América Latina-
• Brasil
• Argentina
• Resto de América Latina
Medio Oriente y África
• países del CCG
• Sudáfrica
• El resto del Medio Oriente y África
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Sobre nosotros:
Insightace Analytic es una firma de investigación y consultoría de mercado que permite a los clientes tomar decisiones estratégicas. Nuestras soluciones cualitativas y cuantitativas de inteligencia de mercado informan la necesidad de mercado e inteligencia competitiva para expandir las empresas. Ayudamos a los clientes a obtener una ventaja competitiva identificando mercados sin explotar, explorando tecnologías nuevas y competidoras, segmentando mercados potenciales y reposicionamiento de productos. Nuestra experiencia es proporcionar informes de inteligencia de mercado sindicados y personalizados con un análisis en profundidad con información clave del mercado de manera oportuna y rentable.
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Este lanzamiento fue publicado en OpenPR.